P. Gibart: шукати на сайті Z-Library

von Bardeleben, H. J., Bourgoin, J. C., Basmaji, P., Gibart, P.

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 516 KB

english, 2001

As

Журнал:

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 150 KB

english, 1989

Polarization Field Determination in AlGaN/GaN HFETs

J. A. Garrido, A. Jiménez, J. L. Sánchez-Rojas, E. Muñoz, F. Omnès, P. Gibart

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 160 KB

english, 1999

Crystal growth of garnets by chemical transport

Pierre Gibart

Журнал:

Рік:

1973

Мова:

english

Файл:

PDF, 609 KB

english, 1973

Structural and electrical properties of AlGaN/GaN HEMTs grown by MBE on SiC, Si(1 1 1) and GaN templates

Y. Cordier, M. Hugues, F. Semond, F. Natali, P. Lorenzini, Z. Bougrioua, J. Massies, E. Frayssinet, B. Beaumont, P. Gibart, J.-P. Faurie

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 178 KB

english, 2005

Growth of GaN on (1 1 1) Si: a route towards self-supported GaN

H. Lahrèche, G. Nataf, E. Feltin, B. Beaumont, P. Gibart

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 352 KB

english, 2001

Free-standing GaN grown on epitaxial lateral overgrown GaN substrates

G. Martinez-Criado, M. Kuball, M. Benyoucef, A. Sarua, E. Frayssinet, B. Beaumont, P. Gibart, C.R. Miskys, M. Stutzmann

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 249 KB

english, 2003

Lateral overgrowth of GaN on patterned GaN/sapphire substrate via selective metal organic vapour phase epitaxy: a route to produce self supported GaN substrates

Beaumont, B, Gibart, P, Vaille, M, Haffouz, S, Nataf, G, Bouillé, A

Журнал:

Physica B: Condensed Matter

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 194 KB

english, 1998

Cathodoluminescence intensity and dislocation contrast evolutions under electron beam excitation in epitaxial GaN laterally overgrown on (0 0 0 1) sapphire

S Dassonneville, A Amokrane, B Sieber, J.-L Farvacque, B Beaumont, V Bousquet, P Gibart, K Leifer, J.-D Ganiere

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 251 KB

english, 1999

FIB technology applied to the improvement of the crystal quality of GaN and to the fabrication of organised arrays of quantum dots

J. Gierak, E. Bourhis, R. Jede, L. Bruchhaus, B. Beaumont, P. Gibart

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 303 KB

english, 2004

Cation distribution in substituted lithium ferrite

Nogues, M., Dormann, J., Perrin, M., Simonet, W., Gibart, P.

Журнал:

IEEE Transactions on Magnetics

Рік:

1979

Мова:

english

Файл:

PDF, 241 KB

english, 1979

HVPE-GaN: comparison of emission properties and microstructure of films grown on different laterally overgrown templates

Paskova, T., Valcheva, E., Paskov, P.P., Monemar, B., Roskowski, A.M., Davis, R.F., Beaumont, B., Gibart, P.

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 941 KB

english, 2004

The effect of the Si/N treatment of a nitridated sapphire surface on the growth mode of GaN in low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy

Haffouz, S., Lahrèche, H., Vennéguès, P., de Mierry, P., Beaumont, B., Omnès, F., Gibart, P.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.00 MB

english, 1998

Recent progresses of the BOLD investigation towards UV detectors for the ESA Solar Orbiter

Hochedez, J-F., Alvarez, J., Auret, F.D., Bergonzo, P., Castex, M-C., Deneuville, A., Defise, J.M., Fleck, B., Gibart, P., Goodman, S.A., Hainaut, O., Kleider, J-P., Lemaire, P., Manca, J., Monroy, E.

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 649 KB

english, 2002

Microstructural analysis of III–V nitrides grown on 6H–SiC by metal–organic vapour phase epitaxy (MOVPE)

Lahreche, H, Vaille, M, Vennéguès, P, Laügt, M, Beaumont, B, Gibart, P

Журнал:

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 341 KB

english, 2000

alloys

Calleja, E., Sanchez, F. J., Muñoz, E., Vigil, E., Omnès, F., Gibart, P., Martin, J. M., Gonzalez Díez, G.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 118 KB

english, 1996

Modeling of the spectral response of Al[sub x]Ga[sub 1−x]N Schottky ultraviolet photodetectors

Bouhdada, A., Hanzaz, M., Gibart, P., Omnès, F., Monroy, E., Muñoz, E.

Журнал:

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 341 KB

english, 2000

As

Laine, T., Mäkinen, J., Saarinen, K., Hautojärvi, P., Corbel, C., Fille, M. L., Gibart, P.

Журнал:

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 187 KB

english, 1996

investigated by Mössbauer spectroscopy: An example of orbital para-to-ferromagnetism transition

Brossard, L., Dormann, J. L., Goldstein, L., Gibart, P., Renaudin, P.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

1979

Мова:

english

Файл:

PDF, 773 KB

english, 1979

Impact of the defects on the electrical and optical properties of AlGaN ultraviolet photodetectors

Hanzaz, M., Bouhdada, A., Gibart, P., Omnès, F.

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 336 KB

english, 2002

As

Gibart, P., Williamson, D. L., El Jani, B., Basmaji, P.

Журнал:

Рік:

1988

Мова:

english

Файл:

PDF, 459 KB

english, 1988

Degeneracy Factor and Pressure Dependence of Si-Induced Deep Impurity States in AlxGa1-xAs from Transport Experiments under Hydrostatic Pressure

Azema, S., Mosser, V., Camassel, Jean, Piotrzkowski, R., Robert, Jean-Louis, Gibart, Pierre, Contour, J.-P., Massié, J., Marty, A.

Журнал:

Materials Science Forum

Рік:

1989

Файл:

PDF, 416 KB

1989

Doping of Homoepitaxial GaN Layers

P. Prystawko, M. Leszczynski, B. Beaumont, P. Gibart, E. Frayssinet, W. Knap, P. Wisniewski, M. Bockowski, T. Suski, S. Porowski

Журнал:

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 161 KB

english, 1998

Magneto-Reflectivity of Gallium Nitride Epilayers

P.A. Shields, R.J. Nicholas, B. Beaumont, P. Gibart

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 157 KB

english, 1999

Effect of an Electric Field on the Electroluminescence and the Photocurrent in InGaN Single Quantum Well Light Emitting Diodes

P. de Mierry, S. Dalmasso, B. Beaumont, P. Gibart

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 149 KB

english, 1999

Femtosecond Exciton Dynamics and the Mott Transition in GaN under Resonant Excitation

S. Hess, R.A. Taylor, K. Kyhm, J.F. Ryan, B. Beaumont, P. Gibart

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 174 KB

english, 1999

Temperature Dependence of Photoluminescence Intensities of Undoped and Doped GaN

M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, P. Gibart

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 120 KB

english, 1999

A TEM Evaluation of ELOG GaN Grown on AlN Buffer Layer by HVPE on (0001) 6H-SiC

P. Ruterana, B. Beaumont, P. Gibart, Yu. Melnik

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 202 KB

english, 1999

TEM Study of the Behavior of Dislocations during ELO of GaN

V. Bousquet, P. Vennéguès, B. Beaumont, M. Vaille, P. Gibart

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 263 KB

english, 1999

Electron Transport in MOVPE GaN Grown on Silicon Nitride Treated Sapphire

H. Eshghi, D. Lancefield, B. Beaumont, P. Gibart

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 138 KB

english, 1999

Evolution with Temperature of the Strain State of GaN Thin Layers Grown on Different Substrates

E. Deleporte, C. Guénaud, M. Voos, B. Beaumont, P. Gibart

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 135 KB

english, 1999

Near-Band Gap Selective Photoluminescence in Wurtzite GaN

G. Neu, M. Teisseire, B. Beaumont, H. Lahreche, P. Gibart

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 175 KB

english, 1999

Infrared Reflectivity and Transport Investigations of GaN Single Crystals and Homoepitaxial Layers

E. Frayssinet, W. Knap, J.L. Robert, P. Prystawko, M. Leszczynski, T. Suski, P. Wisniewski, E. Litwin-Staszewska, S. Porowski, B. Beaumont, P. Gibart

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 130 KB

english, 1999

Metal Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) Growth of GaN(n)/SiC(p) Heterostructures

H. Lahrèche, M. Vaille, B. Beaumont, M. Laügt, P. Vennéguès, P. Gibart

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 171 KB

english, 1999

Schottky Barrier Ultraviolet Photodetectors on Epitaxial Lateral Overgrown GaN

E. Monroy, F. Calle, E. Muñoz, B. Beaumont, F. Omnès, P. Gibart

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 163 KB

english, 1999

Spectroscopic Studies of InGaN Ternary Alloys

H. P. D. Schenk, P. de Mierry, F. Omnès, P. Gibart

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 202 KB

english, 1999

Modeling Study of Hydride Vapor Phase Epitaxy of GaN

S. Yu. Karpov, D. V. Zimina, Yu. N. Makarov, B. Beaumont, G. Nataf, P. Gibart, M. Heuken, H. Jürgensen, A. Krishnan

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 139 KB

english, 1999

A Two-Step Method for Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN

B. Beaumont, V. Bousquet, P. Vennéguès, M. Vaille, A. Bouillé, P. Gibart, S. Dassonneville, A. Amokrane, B. Sieber

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 207 KB

english, 1999

Optimization of Si/N Treatment Time of Sapphire Surface and Its Effect on the MOVPE GaN Overlayers

S. Haffouz, B. Beaumont, P. Vennéguès, P. Gibart

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 247 KB

english, 1999

Investigation of a New Photoluminescence Band at 1.727 eV in Si-Doped Ga0.71Al0.29As

K. Khirouni, F. Rzigua, S. Alaya, A. Selmi, J. P. Sallese, P. Gibart

Журнал:

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 196 KB

english, 1997

Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN

B. Beaumont, Ph. Vennéguès, P. Gibart

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.99 MB

english, 2001

Investigation of Refractive Index and Optical Propagation Loss in Gallium Nitride Based Waveguides

E. Dogheche, P. Ruterana, G. Nouet, F. Omnes, P. Gibart

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 78 KB

english, 2001

Comparison of Exciton–Biexciton with Bound Exciton–Biexciton Dynamics in GaN: Quantum Beats and Temperature Dependence of the Acoustic-Phonon Interaction

K. Kyhm, R.A. Taylor, J.F. Ryan, T. Aoki, M. Kuwata-Gonokami, B. Beaumont, P. Gibart

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 108 KB

english, 2001

Optical Characterization of AlxGa1—xN Alloys (x < 0.7) Grown on Sapphire or Silicon

M. Leroux, S. Dalmasso, F. Natali, S. Helin, C. Touzi, S. Laügt, M. Passerel, F. Omnes, F. Semond, J. Massies, P. Gibart

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 109 KB

english, 2002

(Al,Ga)N Ultraviolet Photodetectors and Applications

E. Muñoz, E. Monroy, J.L. Pau, F. Calle, E. Calleja, F. Omnes, P. Gibart

Журнал:

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 135 KB

english, 2000

High Quality p+–n+-GaAs Tunnel Junction Diode Grown by Atmospheric Pressure Metalorganic Vapour Phase Epitaxy

L. Beji, B. el Jani, P. Gibart

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 115 KB

english, 2001

Application and Performance of GaN Based UV Detectors

E. Monroy, F. Calle, J.L. Pau, E. Muñoz, F. Omnès, B. Beaumont, P. Gibart

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 119 KB

english, 2001

Acoustical and Optical Gallium Nitride Waveguides Grown on Si(111) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

H.P.D. Schenk, E. Feltin, M. Vaille, P. Gibart, R. Kunze, H. Schmidt, M. Weihnacht, E. Doghèche

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 105 KB

english, 2001

Crack-Free Thick GaN Layers on Silicon (111) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

E. Feltin, B. Beaumont, M. Laügt, P. de Mierry, P. Vennéguès, M. Leroux, P. Gibart

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 148 KB

english, 2001

Stress at the Coalescence Boundary of Epitaxial Lateral Overgrown GaN

M. Kuball, M. Benyoucef, B. Beaumont, P. Gibart

Журнал: